Probojni napon: visoko{0}}naponske silicijske ploče mogu izdržati povratne napone od nekoliko kilovolti ili čak više, dok su obične diode obično unutar nekoliko stotina volti.
Struktura: visoko{0}}naponski silicijski nizovi sastoje se od više dioda spojenih u seriju, dok su obične diode pojedinačni PN spojevi.
Primjene: visoko{0}}naponski silicijski nizovi koriste se za visoko-naponsko ispravljanje, dok se obične diode koriste za nisko-naponsko ispravljanje ili obradu signala.
